在上周的财报会议上,台积电高层再度公开明确,3nm工艺制程一切如期,将在下半年投入量产。
听闻这一消息,相信作为首批客户的苹果,Intel等自然是喜上眉梢,而竞争对手三星那边厢,恐怕是心情复杂。
据Digitimes,三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期,这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。三星的规划,显示出与台积电展开激烈竞争。据悉,三星也将在美国投资建设新晶圆厂,投资规模达到170亿美元。。
所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管,它取代的是FinFET,前者可以实现四边充当电流通道,二者则只有三边。
三星本来想着通过抢占技术制高点降维打击台积电,没想到后者坚持在3nm使用FinFET后,结果更务实。
今年早些时候曾有报道称,半导体设备巨头Lam Research向三星提供了用于3nm GAA芯片蚀刻相关的机器,三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证。
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